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T/CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

T/CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

T/CNS 82-2022

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标准详情

  • 标准名称:宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法
  • 标准号:T/CNS 82-2022
    中国标准分类号:F70/C397
  • 发布日期:2022-12-16
    国际标准分类号:27.120.01
  • 实施日期:2023-04-01
    团体名称:中国核学会
  • 标准分类:能源和热传导工程C 制造业

内容简介

本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力,抗辐射加固SRAM试验验证,SRAM总剂量效应研究
本文件规定了宇航用静态随机存储器(StaticRandom-AccessMemory,SRAM)总剂量(totalionizingdose,TID)效应试验方法。

起草单位

中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部

起草人

郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟

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