T/CASAS 033-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法_标准下载

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T/CASAS 033-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法

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发布于：2024-11-19
实施于：2024-11-19
废止

标准详情

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法
标准号：T/CASAS 033-2024
中国标准分类号：/C397
发布日期：2024-11-19
国际标准分类号：31.080.01
实施日期：2024-11-19
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准分类：电子学 C 制造业

内容简介

得益于高压、高频、高温等优异特性，SiC功率器件在交通电气化、新能源发电等领域具有不可替代的作用
然而，SiC功率器件的额定电压更高、开关速度更快、工作温度更宽，突破了传统Si器件的技术边界，传统Si器件的开关动态测试方法，已无法满足SiC器件的新兴发展需求，给SiC功率器件的芯片设计、封装测试和装备研发，带来了严峻挑战
现有的SiC功率器件开关动态测试，由于缺乏定量的技术规范和测试方法，测试过程难以保证足够的精准和稳定；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同，测试结果难以实现有效的溯源和评比
如何实现SiC功率器件的精准开关动态测试，已成为第三代半导体行业的痛点问题
为了服务SiC功率器件行业的良性发展，应对SiC功率器件开关测试的紧迫需求，制定本文件
本文件详细规定了SiCMOSFET功率器件开关动态测试的电路、条件、仪器和方法
局限于当前对SiCMOSFET功率器件的认知程度，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据技术进展不断进行完善和升级
本文件描述了双脉冲测试条件下SiCMOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiCMOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiCJFET、SiCBJT、SiCIGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。

起草单位

重庆大学、华润润安科技有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、杭州飞仕得科技有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、是德科技（中国）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、深圳麦科信科技有限公司、浙江大学、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院、合肥工业大学、中国工程物理研究院电子工程所、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、泰克科技（中国）有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、湖北九峰山实验室、中国电力科学研究院有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、东风汽车集团有限公司、智新半导体有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市新凯来技术有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

起草人

曾正、潘效飞、牛富丽、孙鹏、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、张兴杰、吴新科、孙文涛、赵爽、李俊焘、张太之、孙川、佘超群、陈媛、王丹丹、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、王来利、陈刚、王晓萍、黄海涛、杜凯、林晓晨、唐浩铭、李本亮、高伟。

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