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SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

SJ/T 11499-2015

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  • 标准名称：碳化硅单晶电学性能的测试方法
  • 标准号：SJ/T 11499-2015
    中国标准分类号：H83
  • 发布日期：2015-04-30
    国际标准分类号：29.045
  • 实施日期：2015-10-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：工业和信息化部
  • 标准分类：电气工程半导体材料SJ 电子

内容简介

行业标准《碳化硅单晶电学性能的测试方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10Ω·cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院

起草人

丁丽、郑庆瑜、蔺娴

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