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GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关

GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关

Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5: RF MEMS switches

GB/T 42709.5-2023

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标准GB/T 42709.5-2023标准状态

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标准详情

  • 标准名称:半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关
  • 标准号:GB/T 42709.5-2023
    中国标准分类号:L40
  • 发布日期:2023-05-23
    国际标准分类号:31.200
  • 实施日期:2023-09-01
    技术归口:工业和信息化部(电子)
  • 代替标准:
    主管部门:工业和信息化部(电子)
  • 标准分类:电子学集成电路、微电子学

内容简介

国家标准《半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关》由339-1(工业和信息化部(电子))归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的-般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。

起草单位

中国电子技术标准化研究院、北京大学、河北美泰电子科技有限公司、中国电子信息产业集团有限公司、北京必创科技股份有限公司、

起草人

刘若冰、 李博、 崔波、 翟晓飞、 张威、陈得民、

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