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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

GB/T 36646-2018

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标准GB/T 36646-2018标准状态

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  • 标准名称：制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
  • 标准号：GB/T 36646-2018
    中国标准分类号：L95
  • 发布日期：2018-09-17
    国际标准分类号：31.220
  • 实施日期：2019-01-01
    技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 代替标准：
    主管部门：国家标准化管理委员会
  • 标准分类：电子学电子电信设备用机电元件

内容简介

国家标准《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备（以下简称“HVPE设备”）的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于制备直径50.8mm~152.4mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

起草单位

东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、

起草人

刘鹏、 孙永健、 王健辉、 丁晓民、冯亚彬、

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